Eindhoven University of Technologyの研究グループが、フォトレジスト表面における水滴の蒸発過程を調査しました。。
この研究成果は、Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspectsに掲載されています。
この記事は下記論文の紹介記事です。
論文：
He, Bojia, and Anton A. Darhuber. "Evaporation of water droplets on photoresist surfaces–An experimental study of contact line pinning and evaporation residues." Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 583 (2019): 123912.
同グループは、蒸発中の超高純度脱イオン水滴と深紫外線硬化フォトレジスト層との相互作用を体系的に研究しました。
蒸発する液滴の接触線には、2つのピン止めイベントが発生することを確認しました。
ピンニング中の接触面直径D1およびD2は、初期液滴直径D0のおよそ4/3乗に等しくなったとのことです。
蒸発した液滴は、通常、中心部にサブミクロン厚となる極薄層（1〜10 nmのオーダー）の形で残留物を残します。初期の液滴サイズ、フォトレジスト組成、およびプロセス条件の関数として、残留物の寸法を体系的に特徴付けたとのことです。
この結果から、蒸発後のすすぎ工程では、液滴の蒸発後の時間に応じて、堆積物を完全に除去できないことがわかったとのことです。
この研究結果は、フォトリソ時の欠陥の発生が、イオン性残留物によって引き起こされる潮解に関係している可能性があることを示しています。
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