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静電方式を用いてTFTを作製

University of Melbourneの研究グループが、静電方式を用いてTFTを作製しました。

この研究成果は、ACS nanoに掲載されています。


この記事は下記論文の紹介記事です。

論文:

Liang, You, et al. "Direct Electrohydrodynamic Patterning of High Performance All Metal Oxide Thin Films Electronics." ACS nano (2019).



同研究グループは電気流体力学(EHD)印刷プロセス(静電方式)を使用して、印刷のみで高性能金属酸化物薄膜トランジスタ(TFT)を作製する手法を開発しました。


なお、金属酸化物TFTの直接EHDマイクロパターニングは、半導体材料、導電性金属酸化物、および低温での酸化アルミニウムゲート誘電体を形成するためのさまざまな前駆体溶液を用いて行っています。



本研究によって作製されたTFTデバイスは、優れた電子輸送特性(最大117 cm2 V–1 s–1の平均電子移動度)、無視できるヒステリシス、優れた均一性、低動作電圧での安定動作を示しました。

さらに、NOTやNANDなどの統合論理ゲートが印刷され、実証されました。

また研究の中では、大型化や統合に不可欠な、個別のゲーティングと対称的な入出力動作を備えたすべて印刷されたロジックも示されています。


本研究では作製されたデバイスと製造プロセスにより、高性能で信頼性の高い透明な電子機器が実現すると期待されます。



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